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沙特展示新技术:提升UVLED效能

  • 产品时间:2022-08-30 11:11
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简要描述:近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)研究团队展出了纳米级氮化铝镓(AlGaN)闪烁装置。现有的AlGaN闪烁装置,被指出是代替现有UV气体激光和所含剧毒物质的UV灯的UV灯源。 不过,由于装置中的UV激光二极体,电压最少要25伏特才能操作者,再加电洞流经层效率不欠佳,造成串联电阻低,性能有限。这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺乏有效地的风扇管道等有关。研究人员以交错折射率产于容许结构层(GRINSCH)装置,制作出有。...

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本文摘要:近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)研究团队展出了纳米级氮化铝镓(AlGaN)闪烁装置。现有的AlGaN闪烁装置,被指出是代替现有UV气体激光和所含剧毒物质的UV灯的UV灯源。 不过,由于装置中的UV激光二极体,电压最少要25伏特才能操作者,再加电洞流经层效率不欠佳,造成串联电阻低,性能有限。这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺乏有效地的风扇管道等有关。研究人员以交错折射率产于容许结构层(GRINSCH)装置,制作出有。

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近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)研究团队展出了纳米级氮化铝镓(AlGaN)闪烁装置。现有的AlGaN闪烁装置,被指出是代替现有UV气体激光和所含剧毒物质的UV灯的UV灯源。

不过,由于装置中的UV激光二极体,电压最少要25伏特才能操作者,再加电洞流经层效率不欠佳,造成串联电阻低,性能有限。这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺乏有效地的风扇管道等有关。研究人员以交错折射率产于容许结构层(GRINSCH)装置,制作出有。与原本的AlGaN磊晶薄膜层比起,纳米级AlGaN表面积对体积于多,构成有效地的形变肿胀,能必要在还包括金属等基质上延伸。

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金属和以矽或蓝宝石包复的金属基质,能在低电流操作过程,获取更佳的风扇管道。纳米级P型半导体重新加入了镁,活化能市场需求较低,因此电阻也比较较小。研究人员期望未来能将纳米级GRINSCH二极体应用于在纳米高效能UVLED装置,看起来激光、光感测器、调幅器以及积体光学涉及装置上。


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本文来源:金年会-www.jnftjx.com

 


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